اعانه 15 سپتمبر 2024 – 1 اکتبر2024 د پیسو د راټولولو په اړه

Производство полупроводниковых приборов.

Main
Technique - Experiments, Instruments & Measurements
Производство полупроводниковых...

Производство полупроводниковых приборов.

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И.

0 / 0

دا کتاب تاسو ته څنګه خواښه شوه؟

د بار شوي فایل کیفیت څه دئ؟

تر څو چې د کتاب کیفیت آزمایښو وکړئ، بار ئې کړئ

د بار شوو فایلونو کیفیتی څه دئ؟

درجه (قاطیغوری(:

Technique - Experiments, Instruments & Measurements

کال:

1963

ژبه:

russian

صفحه:

296

فایل:

DJVU, 4.00 MB

IPFS:

,

russian, 1963

په آن لاین ډول لوستل

ته بدلون په کار دي

ته بدلون ناکام شو

ممکن تاسی علاقمند شی

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Евсеев Ю. А. — Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств

Рыженко, М. М. — Конструкционные и электротехнические материалы

Минскер Ф. — Сборка полупроводниковых приборов

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Моряков О. — Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Барьеры. От кристалла до интегральной схемы

Реньян В.Р. — Технология полупроводникового кремния

Вишневский А. И., Под редакцией В.С.Руденко. А.И.Вишневский, В.С.Руденко, А.П.Платонов. — Силовые ионные и полупроводниковые приборы. Учебное пособие для вузов

Бузанова Л.К., Глиберман А.Я — Полупроводниковые фотоприемники

Левинштейн М. Б., Симин Г. С. — Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Захаров А. Г., Какурин Ю. Б., Филипенко Н. А. — Сборник задач по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Каменская А.В. (сост.) — Технология материалов и изделий электронной техники

Датиев К.М. — Введение в физику конденсированного состояния. Сборник задач и упражнений

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Тилл У.С., Лаксон Д.Т. — Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Коллектив авторов — Исследование вольт-амперных характеристик полупроводникового диода и стабилитрона.

Коллектив авторов — Дадаян Ю.А., Храбров И.Ю. Интеллектуальные измерительные преобразователи. Ч. 1

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Барьеры

Ильинская Л.С., Подмарьков А.Н. — Полупроводниковые тензодатчики

Коллектив авторов — Физические основы микроэлектроники

Левинштейн Михаил Ефимович, Симин Григорий Соломонович — Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Новоселов В.В., Морозов С.В. — Измерение температуры активных областей полупроводниковых приборов: Пособие для выполнения лабораторных работ в спецпрактикуме по теплофизике

مهمي جملي

приборов

полупроводниковых

напряжения

поверхности

температуры

германия

материала

температуре

кристаллов

сопротивление

температура

пластины

перехода

получения

диффузии

полупроводника

величина

кристаллы

используют

поверхность

проводимости

применяют

давление

измерения

напряжение

полупроводникового

материалов

результате

происходит

носителей

электроны

количество

электронов

металлов

плавления